IPP084N06L3 G參數(shù):MOSFET N-CH 60V 50A TO-220-3
類別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單標(biāo)準(zhǔn)包裝:500系列:OptiMOS™包裝:管件FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓 (Vdss):60V電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25° C 時(shí)):50A不同?Id、Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):8.4 毫歐 @ 50A,10V不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):2.2V @ 34µA不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg):29nC @ 4.5V不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss):4900pF @ 30V功率 - 最大值:79W安裝類型:通孔封裝:TO-220-3供應(yīng)商器件封裝:PG-TO220-3